讼集成电路布图设计之法律保护

电子信息产业因其具有技术驱动性和广泛应用性的特点，从80年代起以高于其他产业的速度得以发展。电子信息产业的发展依赖于微电子技术的基本材料——集成电路的发展。集成电路就是将电路的有源元件、无源元件和相互之间的连线制作在半导体或绝缘基体上，使它们形成紧密联系的整体电路，所以又可称之为半导体芯片。

　　1958年10月29日，美国用所谓“隔离”工艺和“互连”工艺制成了世界上第一个具有微型电路功能的半导体芯片，他们称之为集成电路。当时它只不过是在单块电路上包含十几个晶体管和其他元件，但其意义是重大的。这是继1947年12月马丁、肖克力等人在美国贝尔实验室中制造出世界上第一个晶体管后，人们在电子器件制作上的又一次重大突破。虽然在当时的技术条件下，一个半导体芯片上只集成十几个晶体管元件，但这小小的芯片却为人类打开了真正的通向电子装置小型化、轻量化的广阔大道，敲开了微电子技术的大门。从此以区别于传统的电子技术和工艺，采用了诸如微电子电路、微型电路、微加工工艺、微电子技术和微电子工业等术语，迎来了崭新的微电子革命时代。

　　1964年，集成电路中集成元件的数量从几十个发展到几百个，从小规模集成电路发展到中规模集成电路阶段。1967年，大规模集成电路面世，在只有米粒大小的硅晶片上集成了上千个晶体管及其他元件。数年后，1977年日本研制出了在6．1×5．8毫米的晶片上集成15万个以上晶体管的超大规模集成电路；同年，美国也研制成了在30平方毫米的晶片上集成超过13万个晶体管的超大规模集成电路。从第一个集成电路诞生起仅40年不到的时间，集成电路就从只能完成简单的逻辑或模拟功能的小规模集成电路发展到了能存储与处理大量信息、完成复杂的电子系统功能的超大规模集成电路。从而使得不久前占地170平方米、耗电150千瓦、由18000余个电子管组成的重达30余吨的电子计算机由现在能提上就走的微型机替代。作为当代核心技术的微电子技术与计算机技术相结合，它以各种功能的产品，几乎渗透到国民经济的所有部门：国家统计、企业管理、医疗卫生、文化教育、人工智能、办公自动化等。现在世界上集成电路的销售额年增长率为68％，1988年世界集成电路的销售额超过337亿美元。以集成电路为主要技术的微电子技术促进了现代社会的电子化、自动化、信息化，从而引起人们社会生活的巨大变革。

　　集成电路具有重量轻、体积小、功能多、功耗低的特点，更重要的是它具有可靠性高的优点。集成电路的研制水平，一定程度上反映出一个国家或地区的科技发展水平。研制和生产集成电路需要精密高效的生产设备、复杂的制作工艺及合理的布图设计。集成电路研究工作中以设计工序为最重要，设计工序包括逻辑设计、电路设计与版图设计。逻辑设计就是功能设计人员根据所研制的集成电路应实现的功能，用逻辑电路（如各种门电路）确定集成电路各部位的逻辑连接，列出所有逻辑元件的连接表。电路设计指线路设计人员将逻辑电路变换为电气电路，确定各部分电路之间的连接，画出各种电路图。版图设计是指版图设计人员根据逻辑设计所提供的连接表及电路设计所设定的电路图，以及根据生产制作工艺要求，对集成电路中所有元件及连接各元件之间的连线进行几何配置和布局，并利用计算机将元件和连线设计到最小面积，而且符合集成电路的设计要求以及满足工艺规范要求。集成电路的布图设计也称为布局设计、版图设计或掩膜设计等，直接由一组预定的相关图形来表示。只有完成了布图设计之后，才能依据布图设计，通过多次光刻、腐蚀、扩散、离子注入、氧化、淀积等各种制作工序，将这些相关图形逐一迭加、套刻在半导体芯片上，形成三维的电路布局结构，最终实现集成电路的设计功能。

　　最初，集成电路的制作需要将布图设计刻画在一组聚脂膜上，然后采用光刻工艺，在经过处理的半导体芯片上注入离子，利用生长淀积技术把布图设计转移到半导体芯片上。发展到大规模集成电路后，一块小小的半导体芯片上已要求密集成千上万甚至百万个以上的晶体管及其他元件，最初的设计工序和掩膜制作工序已不能满足其精度要求，得引人计算机进行辅助设计，从而不需要对布图设计进行制版和制作掩膜，而是将复杂的布图设计转换成数据代码储存于计算机内，再由计算机控制的图形发生器和光刻设备直接在半导体芯片上绘制和蚀刻出电路图形。集成电路的布图设计是集成电路研制的关键所在，如今集成电路的集成度已从小规模发展到大规模、超大规模，集成电路的布图设计由此而日益复杂、精密，要研制出一种新的集成电路需要在布图设计和工艺试制方面花费大量资金。开发一种新的集成电路不仅需要投入大量人、财、物，并且因为集成电路的快速更新换代，其工艺和设计技术要求制造设备随之加以更新，更新期仅二至三年。自70年代以来，日本的集成电路研制设备投资相当于集成电路总销售额的18％，美国大约是11％左右。同时集成电路的发展是人们智力成果的集中表现，在同样一块几毫米见方的硅晶片上，60年代只能集成几十个晶体管，而现今却能集成上万的晶体管，所耗材料价值甚微，其附加值之高充分显示了智力成果的价值。然而，对于投入大量人、财、物研制成的集成电路，却很容易被人复制。复制者在打开集成电路的封装后，用一架可放大几百倍的照相机将显露出的金属连接层拍摄下来，然后用酸将该金属层溶解掉，再拍摄下一层的半导体芯片上的图形，如此逐层拍摄、腐蚀就可获得原来的集成电路的全部布图设计，进而生产出同样的集成电路。例如美国研制一个由1200个晶体管组成的集成电路，需花费50万美元和二至三年时间，而复制这种集成电路只需3万美元和三至六个月时间。如英特尔公司推出8083芯片时为60美元一片，后受到复制品的冲击，市场的销售价格下跌一半以上。复制行为使集成电路开发研制者的利益受到严重威胁，影响了集成电路新产品的研制开发。为维护集成电路开发研制者的智力劳动成果不受侵害，保证集成电路研制生产的正常发展，迫切需要对集成电路的布图设计进行法律的保护。

　　世界上首先立法对集成电路布图设计进行保护的是美国，美国国会经过第96次和第97次会议对半导体芯片保护的热烈讨论，最后在第98次会议上通过了“1984年半导体芯片保护法”（Semiconductor Chip Protection Act of 1984）。日本是世界上第二个对集成电路布图设计进行立法予以保护的国家，1985年日本公布了“半导体集成电路的电路布局法”（Act Concerning the Circuit Layout of a Semiconductor Integrated Circuit）。德国不久也颁布了“微电子半导体产品的拓朴图保护法”（Law on the protection of the Topographies of Microelectrinic Semiconductor Products）。其它相继立法保护集成电路布图设计的国家有瑞典、英国、荷兰、法国、西班牙、丹麦、比利时、意大利、卢森堡、葡萄牙、奥地利等。1985年以后，世界知识产权组织（WIPO）为此专门召开了多次专家会议和国际会议，1989年在美国召开了缔结集成电路知识产权保护条约的外交会议，通过了“关于集成电路的知识产权条约”（Treaty on Intellectual Property in Respect of Integrated Circuits），该条约规定，经五个国家签字后，3个月内对签字国开始生效，目前已有7个以上国家在条约上签字，中国是签字国之一。世界上还有许多国家正在积极进行立法准备工作。通过专门立法对集成电路布图设计进行保护是世界科技革命发展的要求，已成世界立法趋势。

　　集成电路布图设计法律保护的客体是集成电路的布图设计。《关于集成电路的知识产权条约》规定，保护“集成电路的有源元件、导线及无源元件的立体排列，不管这种排列是什么形式，它是固定的或已编码的。”也可以说它保护的是已固定在半导体芯片上的立体布图设计即三维布置图和已编码的、为制造集成电路而准备的三维配置。集成电路布图设计保护法律要求被保护的集成电路布图设计具有原创性，也就是说它必须是创作者自己脑力劳动的成果。这里的原创性与著作权法中规定作品的原创性看似相同，但却有重要区别。根据著作权法的规定，只要作品是作者独立完成的，而非抄袭、复制，就具备原创性而能受到保护。但是集成电路布图设计保护法律规定的原创性，除了布图设计是创作者自己的努力劳动成果外，该布图设计还应当不是常规的设计。如美国“1984年半导体芯片保护法”第902条规定，如果设计是已广泛采用的、平凡的或为半导体工业界所熟悉的；或者设计虽有变化，但其组合从整体上看并不具备原创性，则不予保护。《关于集球电路的知识产权条约》也规定，“该布图设计必须是创作者自己智力劳动的成果，并且在其创作时在布图设计创作者和集成电路制造者中不是常规的设计”，才予保护。

　　关于集成电路布图设计的专有权利，各国规定基本相似，权利人主要享有三项专有权。一是复制自己独创的布图设计的复制权，由于依照该布图设计制造集成电路类似于复制行为，故不再规定制造权。二是对包含有该布图设计的集成电路及其产品具有商业使用权，也即进口、销售、出租包含该布图设计的集成电路或包含该集成电路的产品的权利。三是依法转让、出售或继承以上二项权利。

　　制定法律保护权利人的利益，最终目的还是维护社会秩序、促进社会发展。关于集成电路布图设计的保护立法也是既要保护权益人的利益，又要促进集成电路技术的进步。因此对集成电路的专有权作出一定的限制为理所当然。根据集成电路的特殊性，各国立法对布图设计专有权的限制大致有三项。其一是反向工程。反向工程亦称逆向工程或还原工程，就是用反向工程方法解剖、分析原布图设计，再创作出一种新的布图设计，以减小体积、提高性能等。反向工程带有复制的因素，但必须要有改进。之所以将反向工程规定为合法，目的是要鼓励人们设计出功能相似，但性能更优良、体积更小巧、成本更低廉的集成电路新产品。美国《1984年半导体芯片保护法》第906条规定：他人为教学、分析或评估掩膜作品中的概念、技术或者掩膜作品所用的电路、逻辑流程或元件布局而复制该掩膜作品，以及根据这些分析、评估，将其研究成果融合于产生某一原创性的掩膜作品并以之行销，不视为对掩膜作品所有权人的专有权的侵害。其二是权利用尽，又可称之为权利穷竭，指权利主体对合法售出的集成电路产品不再享有独占权，买主有权自由使用和转卖产品，也就是说合法持有人可以对其进一步处分或使用，如进口、销售、组装等，而无须再经布图设计所有权人的许可。但是“权利用尽”不是指全部权利，未经布图设计所有权人的许可，不得复制该集成电路。其三是非恶意侵权，亦称无知侵权或善意侵权，指当事人在获得某一集成电路时，不知道或没有合理的根据来推定其知道该集成电路包含有非法复制的布图设计，因购买并行销该集成电路而造成对该集成电路的布图设计专有权的侵害。美国《1984年半导体芯片保护法》第907条规定：在知晓半导体芯片产品上的掩膜作品受保护之前，进口或行销该半导体芯片产品，不负侵权责任；但在其知晓该半导体芯片产品上掩膜作品受保护之后，仅对进口或行销该半导体芯片产品承担支付合理提成费的责任。但是这些规定仅适用于善意购买者在知晓半导体芯片上的掩膜作品受保护之前所购买的那些仿冒的半导体芯片产品。对布图设计专有权的限制，有的国家还规定有互惠原则、非自愿许可等。

　　从世界各国有关立法看，集成电路布图设计专有权的取得一般有三种形式。一种是自然保护原则，如英国和瑞典规定自首次商业性开发日起，保护即自行生效。这个对集成电路布图设计的保护原则与著作权保护中的产生即保护原则很相似。另一种是登记制，大多数国家采用登记制，要求布图设计在首次商业利用后的一段时间内，如2年内，到国家有关机关进行登记，否则不予保护。关于集成电路的登记期间自该布图设计首次商业实施之日起，不得短于2年。还有一种登记注册制度，规定登记注册是进行法律诉讼的先决条件，对布图设计自首次商业性开发日起就提供保护，如美国、德国、英国、荷兰、西班牙等国实行这种制度。因为现代科技发展较快，集成电路更新换代的期间较短，因此世界上对集成电路布图设计的保护期一般较短，如美国和日本均规定10年的保护期，《关于集成电路的知识产权条约》规定各国所制定法律的保护期至少应8年。

　　集成电路布图设计保护法律是随着电子工业的迅猛发展而产生的，只经过短短的几年时间，几乎所有发达国家均制定了单行法规以保护集成电路的布图设计，对促进集成电路研制开发起了重要作用。为了保护和促进我国集成电路研制开发事业，为了适应对外交流和对外开放的要求，我们应结合我国集成电路发展的具体情况，借鉴国外的立法经验，加强对集成电路布图设计保护立法的研究工作，以便适时制定颁布我国保护集成电路布图设计的法规。我国已经建立了专利制度、版权制度与商标制度，颁布了计算机软件保护条例，而有关集成电路布图设计保护立法将更加完善我国的知识产权保护体系，依法保护知识产权，推动我国的科学技术事业不断发展。
　　【注释】
　　*上海市高级人民法院